Toshiba Semiconductor and Storage - MT3S111P(TE12L,F)

KEY Part #: K6462978

MT3S111P(TE12L,F) Цены (доллары США) [244499шт сток]

  • 1 pcs$0.15128

номер части:
MT3S111P(TE12L,F)
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F) electronic components. MT3S111P(TE12L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT3S111P(TE12L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT3S111P(TE12L,F) Атрибуты продукта

номер части : MT3S111P(TE12L,F)
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : NPN
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 6V
Частота - Переход : 8GHz
Коэффициент шума (дБ тип @ f) : 1.25dB @ 1GHz
Усиление : 10.5dB
Мощность - Макс : 1W
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 200 @ 30mA, 5V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-243AA
Комплект поставки устройства : PW-MINI

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SS9018HBU

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3.

  • KSP10BU

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3.

  • SS9018GBU

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3.

  • BFP182WE6327HTSA1

    Infineon Technologies

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4.

  • BF776H6327XTSA1

    Infineon Technologies

    RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4.

  • BFP520H6327XTSA1

    Infineon Technologies

    RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4.