Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3J-E3/57T

KEY Part #: K6452605

RS3J-E3/57T Цены (доллары США) [265052шт сток]

  • 1 pcs$0.13955
  • 850 pcs$0.13265
  • 1,700 pcs$0.10251
  • 2,550 pcs$0.09346
  • 5,950 pcs$0.08743
  • 21,250 pcs$0.08140

номер части:
RS3J-E3/57T
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3.0 Amp 600V 250ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS3J-E3/57T electronic components. RS3J-E3/57T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3J-E3/57T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3J-E3/57T Атрибуты продукта

номер части : RS3J-E3/57T
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 2.5A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 250ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 34pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AB, SMC
Комплект поставки устройства : DO-214AB (SMC)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RHRD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast

  • VS-15EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast

  • P600D-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 200 Volt 400 Amp IFSM