IXYS - IXFN24N100

KEY Part #: K6398242

IXFN24N100 Цены (доллары США) [2761шт сток]

  • 1 pcs$16.47031
  • 10 pcs$15.23655
  • 25 pcs$14.00093
  • 100 pcs$13.01266
  • 250 pcs$11.94198

номер части:
IXFN24N100
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN24N100 electronic components. IXFN24N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN24N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN24N100 Атрибуты продукта

номер части : IXFN24N100
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 24A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 267nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8700pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 568W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • IRFI640GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP.