Rohm Semiconductor - IMH4AT110

KEY Part #: K6528873

IMH4AT110 Цены (доллары США) [868108шт сток]

  • 1 pcs$0.04261
  • 3,000 pcs$0.04058
  • 6,000 pcs$0.03832
  • 15,000 pcs$0.03494
  • 30,000 pcs$0.03269

номер части:
IMH4AT110
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor IMH4AT110 electronic components. IMH4AT110 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IMH4AT110, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IMH4AT110 Атрибуты продукта

номер части : IMH4AT110
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : -
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA (ICBO)
Частота - Переход : 250MHz
Мощность - Макс : 300mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SC-74, SOT-457
Комплект поставки устройства : SMT6

Вы также можете быть заинтересованы в