Vishay Semiconductor Diodes Division - SBLB1030HE3/81

KEY Part #: K6446761

[1655шт сток]


    номер части:
    SBLB1030HE3/81
    производитель:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Подробное описание:
    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SBLB1030HE3/81 electronic components. SBLB1030HE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBLB1030HE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SBLB1030HE3/81 Атрибуты продукта

    номер части : SBLB1030HE3/81
    производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Описание : DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Диодный Тип : Schottky
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 30V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 10A
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 600mV @ 10A
    скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Обратное время восстановления (trr) : -
    Ток - обратная утечка @ Vr : 1mA @ 30V
    Емкость @ Vr, F : -
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Комплект поставки устройства : TO-263AB
    Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 125°C

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • MBR1650HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

    • BYM07-400HE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • BYM07-200HE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • BY229B-200-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.

    • SBLB1030HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.