Micron Technology Inc. - MT25QU512ABB8E56-0SIT TR

KEY Part #: K939297

MT25QU512ABB8E56-0SIT TR Цены (доллары США) [24429шт сток]

  • 1 pcs$2.13103
  • 5,000 pcs$2.12043

номер части:
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC FLASH 512M SPI 133MHZ WLCSP. NOR Flash SERIAL NOR SLC 128MX4 CSP
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - Запись голоса и воспроизведение, Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль, Сбор данных - аналоговый интерфейс (AFE), PMIC - Регуляторы напряжения - специального назнач, Специализированные микросхемы, PMIC - Драйверы для ворот, Интерфейс - Сериализаторы, Десериализаторы and PMIC - Регуляторы напряжения - Линейный + Переключ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E56-0SIT TR electronic components. MT25QU512ABB8E56-0SIT TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT25QU512ABB8E56-0SIT TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT25QU512ABB8E56-0SIT TR Атрибуты продукта

номер части : MT25QU512ABB8E56-0SIT TR
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC FLASH 512M SPI 133MHZ WLCSP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Non-Volatile
Формат памяти : FLASH
Технология : FLASH - NOR
Размер памяти : 512Mb (64M x 8)
Тактовая частота : 133MHz
Время цикла записи - слово, страница : 8ms, 2.8ms
Время доступа : -
Интерфейс памяти : SPI
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 2V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : -
Пакет / Дело : -
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.