Vishay Siliconix - SI1011X-T1-GE3

KEY Part #: K6416314

SI1011X-T1-GE3 Цены (доллары США) [12108шт сток]

  • 3,000 pcs$0.03480

номер части:
SI1011X-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 12V SC-89.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3 electronic components. SI1011X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1011X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1011X-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI1011X-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 12V SC-89
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 62pF @ 6V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 190mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-89-3
Пакет / Дело : SC-89, SOT-490

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.