Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWS10STRRPBF

KEY Part #: K6441576

[3429шт сток]


    номер части:
    VS-8EWS10STRRPBF
    производитель:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Подробное описание:
    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWS10STRRPBF electronic components. VS-8EWS10STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWS10STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-8EWS10STRRPBF Атрибуты продукта

    номер части : VS-8EWS10STRRPBF
    производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Описание : DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Диодный Тип : Standard
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1000V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 8A
    скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Обратное время восстановления (trr) : -
    Ток - обратная утечка @ Vr : 50µA @ 1000V
    Емкость @ Vr, F : -
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Комплект поставки устройства : TO-252
    Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • CDBDSC8650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

    • CDBDSC10650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

    • VS-8EWS10STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • VS-8EWS10STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • VS-CPU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

    • VS-C4PH6006LHN3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L