Diodes Incorporated - DMG3415U-7

KEY Part #: K6421335

DMG3415U-7 Цены (доллары США) [857993шт сток]

  • 1 pcs$0.04311
  • 3,000 pcs$0.03915

номер части:
DMG3415U-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMG3415U-7 electronic components. DMG3415U-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG3415U-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3415U-7 Атрибуты продукта

номер части : DMG3415U-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9.1nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 294pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 900mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в