IXYS - IXTP10N60PM

KEY Part #: K6417769

IXTP10N60PM Цены (доллары США) [41107шт сток]

  • 1 pcs$1.09930
  • 50 pcs$1.09383

номер части:
IXTP10N60PM
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP10N60PM electronic components. IXTP10N60PM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP10N60PM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP10N60PM Атрибуты продукта

номер части : IXTP10N60PM
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
Серии : PolarHV™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1610pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 50W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в