ON Semiconductor - FQB50N06TM

KEY Part #: K6392716

FQB50N06TM Цены (доллары США) [144409шт сток]

  • 1 pcs$0.34831
  • 800 pcs$0.34658

номер части:
FQB50N06TM
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQB50N06TM electronic components. FQB50N06TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB50N06TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB50N06TM Атрибуты продукта

номер части : FQB50N06TM
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1540pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в