Infineon Technologies - IRFHM4226TRPBF

KEY Part #: K6403874

[2206шт сток]


    номер части:
    IRFHM4226TRPBF
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N CH 25V 28A PQFN.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IRFHM4226TRPBF electronic components. IRFHM4226TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM4226TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFHM4226TRPBF Атрибуты продукта

    номер части : IRFHM4226TRPBF
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N CH 25V 28A PQFN
    Серии : HEXFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 25V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 28A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 50µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2000pF @ 13V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.7W (Ta), 39W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : -
    Пакет / Дело : 8-TQFN Exposed Pad

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.