Vishay Semiconductor Diodes Division - BYV26DGP-E3/73

KEY Part #: K6455425

BYV26DGP-E3/73 Цены (доллары США) [674951шт сток]

  • 1 pcs$0.05480
  • 2,000 pcs$0.05050
  • 6,000 pcs$0.04744
  • 10,000 pcs$0.04438

номер части:
BYV26DGP-E3/73
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYV26DGP-E3/73 electronic components. BYV26DGP-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV26DGP-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV26DGP-E3/73 Атрибуты продукта

номер части : BYV26DGP-E3/73
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2.5V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 75ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 800V
Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AC, DO-15, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AC (DO-15)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FFD10UP20S

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 10A DPAK. Rectifiers 200V 10A Ultrafast

  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • DB3X316K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

  • BAS21E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast