Infineon Technologies - AUIRF7675M2TR

KEY Part #: K6409107

AUIRF7675M2TR Цены (доллары США) [107724шт сток]

  • 1 pcs$0.34335
  • 4,800 pcs$0.31502

номер части:
AUIRF7675M2TR
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AUIRF7675M2TR electronic components. AUIRF7675M2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7675M2TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF7675M2TR Атрибуты продукта

номер части : AUIRF7675M2TR
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1360pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DIRECTFET™ M2
Пакет / Дело : DirectFET™ Isometric M2

Вы также можете быть заинтересованы в