ON Semiconductor - NGTB25N120FL3WG

KEY Part #: K6421885

NGTB25N120FL3WG Цены (доллары США) [15330шт сток]

  • 1 pcs$2.15943
  • 10 pcs$1.93820
  • 100 pcs$1.58811
  • 500 pcs$1.35193
  • 1,000 pcs$1.08171

номер части:
NGTB25N120FL3WG
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
IGBT 1200V 100A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NGTB25N120FL3WG electronic components. NGTB25N120FL3WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB25N120FL3WG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB25N120FL3WG Атрибуты продукта

номер части : NGTB25N120FL3WG
производитель : ON Semiconductor
Описание : IGBT 1200V 100A TO247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 100A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 25A
Мощность - Макс : 349W
Энергия переключения : 1mJ (on), 700µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 136nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 15ns/109ns
Условия испытаний : 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 114ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в