Diodes Incorporated - DRDNB16W-7

KEY Part #: K6527451

DRDNB16W-7 Цены (доллары США) [773543шт сток]

  • 1 pcs$0.04782
  • 3,000 pcs$0.04307
  • 6,000 pcs$0.04046
  • 15,000 pcs$0.03785
  • 30,000 pcs$0.03472

номер части:
DRDNB16W-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DRDNB16W-7 electronic components. DRDNB16W-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DRDNB16W-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DRDNB16W-7 Атрибуты продукта

номер части : DRDNB16W-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : NPN - Pre-Biased + Diode
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 600mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 1 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 10 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : 200MHz
Мощность - Макс : 200mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в