Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1J-E3/5CA

KEY Part #: K6457710

RGF1J-E3/5CA Цены (доллары США) [644975шт сток]

  • 1 pcs$0.06052
  • 6,500 pcs$0.06021

номер части:
RGF1J-E3/5CA
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1J-E3/5CA electronic components. RGF1J-E3/5CA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1J-E3/5CA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1J-E3/5CA Атрибуты продукта

номер части : RGF1J-E3/5CA
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 250ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214BA
Комплект поставки устройства : DO-214BA (GF1)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM