Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR

KEY Part #: K939410

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR Цены (доллары США) [25024шт сток]

  • 1 pcs$2.00029
  • 1,000 pcs$1.99034

номер части:
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash SLC 2G 256MX8 TSOP
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Освещение, Балласт Контроллеры, Логика - Защелки, Интерфейс - аналоговые переключатели, мультиплексо, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, Интерфейс - кодеры, декодеры, преобразователи, Embedded - Микропроцессоры, PMIC - текущее регулирование / управление and Интерфейс - Терминаторы Сигнала ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR electronic components. MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR Атрибуты продукта

номер части : MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Non-Volatile
Формат памяти : FLASH
Технология : FLASH - NAND
Размер памяти : 2Gb (256M x 8)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : -
Время доступа : -
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Комплект поставки устройства : 48-TSOP I

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.