Toshiba Semiconductor and Storage - TK46A08N1,S4X

KEY Part #: K6393035

TK46A08N1,S4X Цены (доллары США) [65859шт сток]

  • 1 pcs$0.65642

номер части:
TK46A08N1,S4X
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 46A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1,S4X electronic components. TK46A08N1,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK46A08N1,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK46A08N1,S4X Атрибуты продукта

номер части : TK46A08N1,S4X
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 80V 46A TO-220
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 46A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2500pF @ 40V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 35W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220SIS
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в