Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретные полупроводниковые изделия
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис
  5. EPC2105ENG

EPC - EPC2105ENG

KEY Part #: K6523724

[4069шт сток]

    номер части:
    EPC2105ENG
    производитель:
    EPC
    Подробное описание:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - IGBT - Модули ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in EPC EPC2105ENG electronic components. EPC2105ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2105ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2105ENG Атрибуты продукта

    номер части : EPC2105ENG
    производитель : EPC
    Описание : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Серии : eGaN®
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Тип FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    Функция FET : GaNFET (Gallium Nitride)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.5A, 38A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 300pF @ 40V
    Мощность - Макс : -
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : Die
    Комплект поставки устройства : Die
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Горячие части