Microsemi Corporation - APT70GR65B2SCD30

KEY Part #: K6423511

APT70GR65B2SCD30 Цены (доллары США) [9629шт сток]

  • 34 pcs$6.57512

номер части:
APT70GR65B2SCD30
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30 electronic components. APT70GR65B2SCD30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT70GR65B2SCD30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT70GR65B2SCD30 Атрибуты продукта

номер части : APT70GR65B2SCD30
производитель : Microsemi Corporation
Описание : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Серии : *
Состояние детали : Obsolete
Тип IGBT : NPT
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 134A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 260A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 70A
Мощность - Макс : 595W
Энергия переключения : -
Тип ввода : -
Gate Charge : 305nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 19ns/170ns
Условия испытаний : 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : T-MAX™ [B2]