Diodes Incorporated - ZVP2110GTA

KEY Part #: K6416192

ZVP2110GTA Цены (доллары США) [188931шт сток]

  • 1 pcs$0.19675
  • 1,000 pcs$0.19577

номер части:
ZVP2110GTA
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated ZVP2110GTA electronic components. ZVP2110GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZVP2110GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZVP2110GTA Атрибуты продукта

номер части : ZVP2110GTA
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 310mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 100pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-223
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

Вы также можете быть заинтересованы в