Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J-E3/TR

KEY Part #: K6452662

BYG10J-E3/TR Цены (доллары США) [833970шт сток]

  • 1 pcs$0.04724
  • 1,800 pcs$0.04701
  • 3,600 pcs$0.04231
  • 5,400 pcs$0.03996
  • 12,600 pcs$0.03643
  • 45,000 pcs$0.03408

номер части:
BYG10J-E3/TR
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-E3/TR electronic components. BYG10J-E3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10J-E3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J-E3/TR Атрибуты продукта

номер части : BYG10J-E3/TR
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Avalanche
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1.5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.15V @ 1.5A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 4µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства : DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast

  • VS-15EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast