Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34B-E3/98

KEY Part #: K6457719

EGL34B-E3/98 Цены (доллары США) [651126шт сток]

  • 1 pcs$0.05681
  • 5,000 pcs$0.04918

номер части:
EGL34B-E3/98
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34B-E3/98 electronic components. EGL34B-E3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34B-E3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGL34B-E3/98 Атрибуты продукта

номер части : EGL34B-E3/98
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.25V @ 500mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AA (Glass)
Комплект поставки устройства : DO-213AA (GL34)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM