Infineon Technologies - IPA65R1K5CEXKSA1

KEY Part #: K6420214

IPA65R1K5CEXKSA1 Цены (доллары США) [171114шт сток]

  • 1 pcs$0.21616
  • 500 pcs$0.20882

номер части:
IPA65R1K5CEXKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPA65R1K5CEXKSA1 electronic components. IPA65R1K5CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA65R1K5CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R1K5CEXKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPA65R1K5CEXKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V TO220-3
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 225pF @ 100V
Функция FET : Super Junction
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 30W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220 Full Pack
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в