ON Semiconductor - MUN5235DW1T1G

KEY Part #: K6528852

MUN5235DW1T1G Цены (доллары США) [1933858шт сток]

  • 1 pcs$0.01913
  • 3,000 pcs$0.01758
  • 6,000 pcs$0.01528
  • 15,000 pcs$0.01299
  • 30,000 pcs$0.01222
  • 75,000 pcs$0.01146
  • 150,000 pcs$0.01019

номер части:
MUN5235DW1T1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor MUN5235DW1T1G electronic components. MUN5235DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUN5235DW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUN5235DW1T1G Атрибуты продукта

номер части : MUN5235DW1T1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 2.2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 47 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 250mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : SC-88/SC70-6/SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в