BAS16,215 Цены (доллары США) [3839138шт сток]
- 1 pcs$0.00963
- 3,000 pcs$0.00921
- 6,000 pcs$0.00831
- 15,000 pcs$0.00723
- 30,000 pcs$0.00650
- 75,000 pcs$0.00578
- 150,000 pcs$0.00482
- номер части:
- BAS16,215
- производитель:
- Nexperia USA Inc.
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SW 75V 215MA HS
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS16,215 electronic components. BAS16,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16,215 Атрибуты продукта
номер части :
BAS16,215
производитель :
Nexperia USA Inc.
Описание :
DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23
Серии :
Automotive, AEC-Q101, BAS16
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
215mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.25V @ 150mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
500nA @ 80V
Емкость @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства :
TO-236AB
Рабочая температура - соединение :
150°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
-
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns
Горячие части
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G