SBAS116LT1G Цены (доллары США) [1049622шт сток]
- 1 pcs$0.03719
- 3,000 pcs$0.03700
- 6,000 pcs$0.03495
- 15,000 pcs$0.03186
- 30,000 pcs$0.02980
- номер части:
- SBAS116LT1G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Модули питания драйверов ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in ON Semiconductor SBAS116LT1G electronic components. SBAS116LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBAS116LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBAS116LT1G Атрибуты продукта
номер части :
SBAS116LT1G
производитель :
ON Semiconductor
Описание :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
75V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
200mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.25V @ 150mA
скорость :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) :
3µs
Ток - обратная утечка @ Vr :
5nA @ 75V
Емкость @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства :
SOT-23-3 (TO-236)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
QH12BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier
-
QH03BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier
-
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp
-
-
SBAS116LT1G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T
Горячие части
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54