Infineon Technologies - IPB530N15N3GATMA1

KEY Part #: K6419540

IPB530N15N3GATMA1 Цены (доллары США) [117397шт сток]

  • 1 pcs$0.31506
  • 1,000 pcs$0.28903

номер части:
IPB530N15N3GATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB530N15N3GATMA1 electronic components. IPB530N15N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB530N15N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB530N15N3GATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB530N15N3GATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 887pF @ 75V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 68W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в