Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL41JHE3/97

KEY Part #: K6439433

RGL41JHE3/97 Цены (доллары США) [765063шт сток]

  • 1 pcs$0.05102
  • 10,000 pcs$0.05076

номер части:
RGL41JHE3/97
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 600 Volt 250ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL41JHE3/97 electronic components. RGL41JHE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL41JHE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL41JHE3/97 Атрибуты продукта

номер части : RGL41JHE3/97
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 250ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AB, MELF (Glass)
Комплект поставки устройства : DO-213AB
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DSS6-0025BS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 25V 6A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers 6 Amps 25V

  • DSEP6-06BS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6 Amps 600V

  • DLA10IM800UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 800V 10A TO252. Rectifiers 10 Amps 800V

  • APT30DQ120KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220. Diodes - General Purpose, Power, Switching FG, FRED, 1200V,TO-220, RoHS

  • S07G-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 400V 500MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M

  • S07D-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 200V 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M