Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-E4TU2006TFP-N3

KEY Part #: K6445493

VS-E4TU2006TFP-N3 Цены (доллары США) [77933шт сток]

  • 1 pcs$0.49336
  • 10 pcs$0.44026
  • 25 pcs$0.41793
  • 100 pcs$0.32475
  • 250 pcs$0.30357
  • 500 pcs$0.26827
  • 1,000 pcs$0.21179
  • 2,500 pcs$0.19767
  • 5,000 pcs$0.18826

номер части:
VS-E4TU2006TFP-N3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-E4TU2006TFP-N3 electronic components. VS-E4TU2006TFP-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-E4TU2006TFP-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-E4TU2006TFP-N3 Атрибуты продукта

номер части : VS-E4TU2006TFP-N3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2
Серии : FRED Pt®
Состояние детали : Obsolete
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 20A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.63V @ 20A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 61ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 15µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2 Full Pack
Комплект поставки устройства : TO-220-2 Full Pack
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.