IXYS - MMIX1X200N60B3H1

KEY Part #: K6422514

MMIX1X200N60B3H1 Цены (доллары США) [2455шт сток]

  • 1 pcs$18.48104
  • 10 pcs$17.09345
  • 25 pcs$15.70735
  • 100 pcs$14.59854

номер части:
MMIX1X200N60B3H1
производитель:
IXYS
Подробное описание:
IGBT 600V 175A 520W SMPD.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS MMIX1X200N60B3H1 electronic components. MMIX1X200N60B3H1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMIX1X200N60B3H1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMIX1X200N60B3H1 Атрибуты продукта

номер части : MMIX1X200N60B3H1
производитель : IXYS
Описание : IGBT 600V 175A 520W SMPD
Серии : GenX3™, XPT™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 175A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 1000A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 100A
Мощность - Макс : 520W
Энергия переключения : 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 315nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 48ns/160ns
Условия испытаний : 360V, 100A, 1 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 100ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 24-PowerSMD, 21 Leads
Комплект поставки устройства : 24-SMPD

Вы также можете быть заинтересованы в