Toshiba Semiconductor and Storage - TK20J60U(F)

KEY Part #: K6407780

TK20J60U(F) Цены (доллары США) [854шт сток]

  • 1 pcs$2.65301
  • 50 pcs$2.13017
  • 100 pcs$1.94084

номер части:
TK20J60U(F)
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U(F) electronic components. TK20J60U(F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK20J60U(F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK20J60U(F) Атрибуты продукта

номер части : TK20J60U(F)
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Серии : DTMOSII
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1470pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 190W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P(N)
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в