Vishay Siliconix - SIR482DP-T1-GE3

KEY Part #: K6403034

[2497шт сток]


    номер части:
    SIR482DP-T1-GE3
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix SIR482DP-T1-GE3 electronic components. SIR482DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR482DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIR482DP-T1-GE3 Атрибуты продукта

    номер части : SIR482DP-T1-GE3
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    Серии : TrenchFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1575pF @ 15V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5W (Ta), 27.7W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
    Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

    Вы также можете быть заинтересованы в