BAS19 Цены (доллары США) [2478044шт сток]
- 1 pcs$0.01575
- 3,000 pcs$0.01567
- 6,000 pcs$0.01414
- 15,000 pcs$0.01229
- 30,000 pcs$0.01106
- 75,000 pcs$0.00983
- 150,000 pcs$0.00819
- номер части:
- BAS19
- производитель:
- ON Semiconductor
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - стабилитроны - массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in ON Semiconductor BAS19 electronic components. BAS19 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19 Атрибуты продукта
номер части :
BAS19
производитель :
ON Semiconductor
Описание :
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
120V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.25V @ 200mA
скорость :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) :
50ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100nA @ 100V
Емкость @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства :
SOT-23-3 (TO-236)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Горячие части
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08