Diodes Incorporated - ZXMN2F30FHTA

KEY Part #: K6420297

ZXMN2F30FHTA Цены (доллары США) [663036шт сток]

  • 1 pcs$0.05579
  • 3,000 pcs$0.05025

номер части:
ZXMN2F30FHTA
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN2F30FHTA electronic components. ZXMN2F30FHTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN2F30FHTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN2F30FHTA Атрибуты продукта

номер части : ZXMN2F30FHTA
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.1A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.8nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 452pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 960mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в