Infineon Technologies - BSS806NEH6327XTSA1

KEY Part #: K6405091

BSS806NEH6327XTSA1 Цены (доллары США) [907269шт сток]

  • 1 pcs$0.04077
  • 3,000 pcs$0.03385

номер части:
BSS806NEH6327XTSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1 electronic components. BSS806NEH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS806NEH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS806NEH6327XTSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSS806NEH6327XTSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Серии : Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 0.75V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1.7nC @ 2.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 529pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в