Diodes Incorporated - DMTH6010SCT

KEY Part #: K6395937

DMTH6010SCT Цены (доллары США) [51384шт сток]

  • 1 pcs$0.72331
  • 50 pcs$0.57949
  • 100 pcs$0.50707
  • 500 pcs$0.39322
  • 1,000 pcs$0.29366

номер части:
DMTH6010SCT
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH6010SCT electronic components. DMTH6010SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6010SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6010SCT Атрибуты продукта

номер части : DMTH6010SCT
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 36.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1940pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в