ON Semiconductor - FDG316P

KEY Part #: K6418332

FDG316P Цены (доллары США) [529955шт сток]

  • 1 pcs$0.07014
  • 3,000 pcs$0.06979

номер части:
FDG316P
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDG316P electronic components. FDG316P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG316P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG316P Атрибуты продукта

номер части : FDG316P
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 165pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 750mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-88 (SC-70-6)
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.