Microsemi Corporation - APT30GS60BRDQ2G

KEY Part #: K6422521

APT30GS60BRDQ2G Цены (доллары США) [10810шт сток]

  • 1 pcs$3.81205
  • 10 pcs$3.42997
  • 25 pcs$3.12527
  • 100 pcs$2.82039
  • 250 pcs$2.59170
  • 500 pcs$2.36302
  • 1,000 pcs$2.05811

номер части:
APT30GS60BRDQ2G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 600V 54A 250W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT30GS60BRDQ2G electronic components. APT30GS60BRDQ2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT30GS60BRDQ2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30GS60BRDQ2G Атрибуты продукта

номер части : APT30GS60BRDQ2G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 600V 54A 250W SOT227
Серии : Thunderbolt IGBT®
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 54A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 113A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.15V @ 15V, 30A
Мощность - Макс : 250W
Энергия переключения : 570µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 145nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 16ns/360ns
Условия испытаний : 400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247 [B]

Вы также можете быть заинтересованы в