STMicroelectronics - STW57N65M5

KEY Part #: K6402466

STW57N65M5 Цены (доллары США) [6387шт сток]

  • 1 pcs$6.45185
  • 10 pcs$5.86572
  • 100 pcs$4.98586
  • 500 pcs$4.25265

номер части:
STW57N65M5
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 42A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STW57N65M5 electronic components. STW57N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW57N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW57N65M5 Атрибуты продукта

номер части : STW57N65M5
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
Серии : MDmesh™ V
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 42A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4200pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в