производитель :
GeneSiC Semiconductor
Описание :
DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
Состояние детали :
Active
Конфигурация диода :
1 Pair Common Cathode
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
35V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) (за диод) :
120A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
650mV @ 120A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
3mA @ 20V
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Пакет / Дело :
Twin Tower
Комплект поставки устройства :
Twin Tower