Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-FC270SA20

KEY Part #: K6397706

VS-FC270SA20 Цены (доллары США) [3628шт сток]

  • 1 pcs$11.93924

номер части:
VS-FC270SA20
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
SINGLE SWITCH PWR MODULE SOT-227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FC270SA20 electronic components. VS-FC270SA20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-FC270SA20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-FC270SA20 Атрибуты продукта

номер части : VS-FC270SA20
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : SINGLE SWITCH PWR MODULE SOT-227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 287A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 16500pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 937W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.