Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWL06FN-M3

KEY Part #: K6447645

VS-8EWL06FN-M3 Цены (доллары США) [87402шт сток]

  • 1 pcs$0.43900
  • 10 pcs$0.39092
  • 25 pcs$0.37111
  • 100 pcs$0.28836
  • 250 pcs$0.26954
  • 500 pcs$0.23821
  • 1,000 pcs$0.18806
  • 2,500 pcs$0.17552
  • 5,000 pcs$0.16716

номер части:
VS-8EWL06FN-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWL06FN-M3 electronic components. VS-8EWL06FN-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWL06FN-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8EWL06FN-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-8EWL06FN-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA
Серии : FRED Pt®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.05V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 170ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : D-PAK (TO-252AA)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.