Diodes Incorporated - ZXMN3A01FTA

KEY Part #: K6420487

ZXMN3A01FTA Цены (доллары США) [490925шт сток]

  • 1 pcs$0.07534
  • 3,000 pcs$0.06743

номер части:
ZXMN3A01FTA
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN3A01FTA electronic components. ZXMN3A01FTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN3A01FTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN3A01FTA Атрибуты продукта

номер части : ZXMN3A01FTA
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 190pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 625mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в