Diodes Incorporated - DMTH6005LCT

KEY Part #: K6397633

DMTH6005LCT Цены (доллары США) [80316шт сток]

  • 1 pcs$0.48684
  • 50 pcs$0.45715

номер части:
DMTH6005LCT
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH6005LCT electronic components. DMTH6005LCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6005LCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6005LCT Атрибуты продукта

номер части : DMTH6005LCT
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 47.1nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2962pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.