ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-6BLA1-TR

KEY Part #: K936913

IS46R16320E-6BLA1-TR Цены (доллары США) [15370шт сток]

  • 1 pcs$2.98124

номер части:
IS46R16320E-6BLA1-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Часы / Время - Часы реального времени, Logic - Вентили и инверторы - многофункциональные,, Интерфейс - драйверы, приемники, трансиверы, PMIC - Контроллеры источников питания, мониторы, Линейный - Усилители специального назначения, PMIC - Драйверы дисплея, PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE) and PMIC - Регуляторы напряжения - Линейный + Переключ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA1-TR electronic components. IS46R16320E-6BLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16320E-6BLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16320E-6BLA1-TR Атрибуты продукта

номер части : IS46R16320E-6BLA1-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR
Размер памяти : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 700ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.3V ~ 2.7V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-TFBGA (13x8)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16