Alliance Memory, Inc. - AS4C4M32SA-6TIN

KEY Part #: K938084

AS4C4M32SA-6TIN Цены (доллары США) [19113шт сток]

  • 1 pcs$2.30927
  • 10 pcs$2.10611
  • 25 pcs$2.06618
  • 50 pcs$2.05199
  • 100 pcs$1.84076
  • 250 pcs$1.83368
  • 500 pcs$1.71922
  • 1,000 pcs$1.64606

номер части:
AS4C4M32SA-6TIN
производитель:
Alliance Memory, Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II. DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - Телеком, Интерфейс - кодеры, декодеры, преобразователи, Clock / Timing - Тактовые буферы, драйверы, Логика - Сигнальные переключатели, мультиплексоры,, Сбор данных - аналоговый интерфейс (AFE), PMIC - Регуляторы напряжения - DC DC Импульсные ре, Логика - FIFOs Memory and Логика - Счетчики, Делители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TIN electronic components. AS4C4M32SA-6TIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C4M32SA-6TIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C4M32SA-6TIN Атрибуты продукта

номер части : AS4C4M32SA-6TIN
производитель : Alliance Memory, Inc.
Описание : IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM
Размер памяти : 128Mb (4M x 32)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : 2ns
Время доступа : 5.4ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 3V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Комплект поставки устройства : 86-TSOP II

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G104BHV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.