Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT47H64M8SH-25E AIT:H TR

Micron Technology Inc. - MT47H64M8SH-25E AIT:H TR

KEY Part #: K938332

MT47H64M8SH-25E AIT:H TR Цены (доллары США) [20137шт сток]

  • 1 pcs$2.27566
номер части:
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Управление батареями, Линейный - Усилители специального назначения, Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА, Linear - Усилители - Инструментарий, OP Amp, Буфер, Логика - Генераторы четности и шашки, Clock / Timing - Программируемые таймеры и генерат, Логика - Переводчики, Шифтеры and PMIC - светодиодные драйверы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT:H TR electronic components. MT47H64M8SH-25E AIT:H TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H64M8SH-25E AIT:H TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H64M8SH-25E AIT:H TR Атрибуты продукта

номер части : MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Серии : -
Состояние детали : Last Time Buy
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR2
Размер памяти : 512Mb (64M x 8)
Тактовая частота : 400MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 400ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура : -40°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-FBGA (10x18)

Последние новости

Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron NAND-Based MCP
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron NAND Flash
Micron LPDRAM
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Вы также можете быть заинтересованы в
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

Горячие части