ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42VM32800K-75BLI-TR

KEY Part #: K938087

IS42VM32800K-75BLI-TR Цены (доллары США) [19114шт сток]

  • 1 pcs$2.86827
  • 2,500 pcs$2.85400

номер части:
IS42VM32800K-75BLI-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz Mobile SDRAM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Контроллеры с горячей заменой, Линейный - Обработка видео, Embedded - система на чипе (SoC), Логика - Специальность Логика, Интерфейс - Буферы Сигналов, Повторители, Сплиттер, Сбор данных - аналого-цифровые преобразователи (АЦ, Embedded - микроконтроллеры and PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800K-75BLI-TR electronic components. IS42VM32800K-75BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42VM32800K-75BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42VM32800K-75BLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS42VM32800K-75BLI-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile
Размер памяти : 256Mb (8M x 32)
Тактовая частота : 133MHz
Время цикла записи - слово, страница : -
Время доступа : 6ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 90-TFBGA
Комплект поставки устройства : 90-TFBGA (8x13)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.